삼성전자, SK하이닉스·TSMC와 경쟁 위해 4나노급 HBM4 양산

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삼성이 4나노 공정을 적용해 6세대 HBM4의 로직 다이(logic die)를 양산할 계획이라고 보도했다.논리적 결정립은 결정립이 적층된 최하층에 위치하며 HBM의 핵심 요소이다.

메모리 제조사는 이미 HBM3E와 같은 기존 제품을 위한 논리 결정립을 제조할 수 있었지만, 6세대 모델은 고객이 요구하는 맞춤형 기능을 갖추고 있어 웨이퍼 도입 공정을 추가로 거쳐야 한다.

4나노는 삼성의 주력 공정으로 수율이 70%가 넘는다.삼성도 이 공정을 적용해 플래그십 AI 스마트폰 '갤럭시S24'의 엑시노스2400 프로세서를 생산하고 있다.

한 업계 관계자는 "4나노 공정은 7나노, 8나노보다 훨씬 비싸지만 웨이퍼 효율과 전력소비(파워컨섬션)는 월등히 뛰어나다."현재 10나노 공정으로 HBM3E를 생산하고 있는 삼성은 4나노로 HBM 리더십을 노리고 있습니다."

SK하이닉스는 지난 4월 TSMC와 협력을 선언했다.SK하이닉스는 19일 성명서를 내고 최근 타이베이에서 타결한 양해각서에 따라 두 반도체 거물이 6세대 HBM4 웨이퍼를 개발해 2026년 양산하기로 했다고 밝혔다.